晶体管的PN结是如何形成的
初学模拟电路，P型半导体中的空穴是多数载流子，N型半导体中的电子是多数载流子
电子从N向P运动，空穴相反，N失去电子带正电，P失去空穴带负电，我不太理解为什么在“PN相接的地方形成PN结“，而不是在两端形成正负极？希望高手解惑
[解决办法]
仔细看书，后面有解释
[解决办法]
内电场促使少子漂移，阻止多子扩散，从而达到动态平衡。平衡区的中性面不会移动，因为P区和N区的原子核不一样，且交界面固定，是无法漂移的。
[解决办法]
ＰＮ结的形成 当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起时，由于交界面处存在载流子浓度的差异，这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。但是，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使Ｐ区和Ｎ区中原来的电中性条件破坏了。Ｐ区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，Ｎ区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷，它们集中在Ｐ区和Ｎ区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是我们所说的ＰＮ结
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