基本信息·出版社：高等教育出版社 ·页码：310 页 ·出版日期：2008年06月 ·ISBN：9787040240078 ·条形码：9787040240078 ·版本：第3版 ·装帧：平装 ...
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基本信息·出版社：高等教育出版社
·页码：310 页
·出版日期：2008年06月
·ISBN：9787040240078
·条形码：9787040240078
·版本：第3版
·装帧：平装
·开本：16
·正文语种：中文
·丛书名：高职高专教育普通高等教育十一五国家级规划教材
内容简介 《模拟电子技术》为普通高等教育“十一五”国家级规划教材(高职高专教育)。为适应电子技术的迅速发展和新形势下高职高专教学需要，在第2版的基础上，总结国家精品课程教学实践、吸取各方面的建议和意见修订而成。
全书由半导体二极管及其基本应用、半导体三极管及其基本应用、放大电路基础、负反馈放大电路、集成运算放大器的应用电路、信号产生电路、直流稳压电源等七章以及电阻器、电容器使用知识和电子设计自动化仿真软件EWB的应用两个附录组成，并给出部分自测题与习题答案。
《模拟电子技术》以应用为目的，突出理论与实践训练相结合，加强基本概念的叙述，将课堂讲授内容、讨论思考题、技能训练、课外自学内容、自测题与习题等优化组合，有利于启发引导，激发学习积极性。
与《模拟电子技术》配套的出版物有学习指导、教学课件、考试系统和自测系统以及网络学习平台，形成完整的立体化教材，以帮助读者掌握本课程的主要内容和解题方法，便于教、学和检查教学效果。
《模拟电子技术》可作为高职高专院校电类各专业“模拟电子技术”课程及其实训的教材，也可供从事电子技术工作的工程技术人员参考。
编辑推荐 《模拟电子技术》是由高等教育出版社出版的。
目录 第1章 半导体二极管及其基本应用
1．1 半导体的基础知识
1．1．1 本征半导体
1．1．2 杂质半导体
1．1．3 PN结
复习与讨论题
1．2 二极管的特性及主要参数
1．2．1 二极管的结构
1．2．2 二极管的伏安特性
1．2．3 温度对二极管特性的影响
1．2．4 二极管的主要参数
复习与讨论题
1．3 二极管的基本应用
1．3．1 二极管的大信号模型
1．3．2 二极管应用电路举例
1．3．3 二极管的直流电阻和交流电阻
复习与讨论题
1．4 特殊二极管
1．4．1 稳压二极管
1．4．2 发光二极管与光电二极管
1．4．3 变容二极管
复习与讨论题
1．5 二极管应用电路的测试
1．5．1 二极管使用基本知识
1．5．2 技能训练项目
复习与讨论题
本章小结
自测题
习题
第2章 半导体三极管及其基本应用
2．1 晶体管的特性与参数
2．1．1 晶体管的工作原理
2．1．2 晶体管的伏安特性
2．1．3 晶体管的主要参数
复习与讨论题
2．2 晶体管的基本应用
2．2．1 晶体管直流电路的分析
2．2．2 晶体管开关电路及晶体管工作状态的判断
2．2．3 晶体管基本放大电路及其分析方法
复习与讨论题
2．3 场效应管及其基本应用
2．3．1 MOS场效应管
2．3．2 结型场效应管
2．3．3 场效应管的主要参数
2．3．4 场效应管的基本应用
复习与讨论题
2．4 晶体管基本应用电路的测试
2．4．1 晶体管使用基本知识
2．4．2 技能训练项目
复习与讨论题
本章小结
自测题
习题
第3章 放大电路基础
3．1 放大电路的基本知识
3．1．1 放大电路的组成
3．1．2 放大电路的主要性能指标
复习与讨论题
3．2 三种基本组态放大电路
3．2．1 共发射极放大电路
3．2．2 共集电极放大电路
3．2．3 共基极放大电路
3．2．4 场效应管放大电路
复习与讨论题
3．3 差分放大电路
3．3．1 差分放大电路的工作原理
3．3．2 具有电流源的差分放大电路
3．3．3 差分放大电路的差模传输特性
3．3．4 差分放大电路的输入、输出方式
复习与讨论题
3．4 互补对称功率放大电路
3．4．1 放大电路工作状态的分类
3．4．2 乙类双电源互补对称功率放大电路
3．4．3甲乙类互补对称功率放大电路
复习与讨论题
3．5 多级放大电路
3．5．1 多级放大电路的组成及性能指标的估算
3．5．2 集成运算放大器及其基本应用电路
复习与讨论题
3．6 放大电路的调整与测试
3．6．1 放大电路调整与测试的基本方法
3．6．2 集成运算放大器使用基本知识
3．6．3 技能训练项目
复习与讨论题
本章小结
自测题
习题
第4章 负反馈放大电路
4．1 负反馈放大电路的组成及基本类型
4．1．1 反馈放大电路的组成及基本关系式
4．1．2 负反馈放大电路的基本类型
4．1．3 负反馈放大电路分析
复习与讨论题
4．2 负反馈对放大电路性能的影响
4．2．1 提高增益的稳定性
4．2．2 减小失真和扩展通频带
4．2．3 改变放大电路的输入和输出电阻
复习与讨论题
4．3 负反馈放大电路应用中的几个问题
4．3．1 放大电路引入负反馈的一般原则
4．3．2 深度负反馈放大电路的特点及性能估算
4．3．3 负反馈放大电路的稳定性
复习与讨论题
4．4 负反馈放大电路的调整与测试
4．4．1 负反馈放大电路调整与测试注意事项
4．4．2 技能训练项目
复习与讨论题
本章小结
自测题
习题
第5章 集成运算放大器的应用电路
5．1 基本运算电路
5．1．1 比例运算电路
5．1．2 加减运算电路
5．1．3 微分与积分运算电路
5．1．4 模拟乘法器在运算电路中的应用
复习与讨论题
5．2 集成运算放大器的频率特性
5．2．1 简单RC低通和高通电路的频率特性
5．2．2 晶体管及其单级放大电路的高频特性
5．2．3 集成运算放大器的频率特性及其高频参数
复习与讨论题
5．3 集成运算放大器交流放大电路
5．3．1 反相交流放大电路
5．3．2 同相交流放大电路
5．3．3 交流电压跟随器与汇集放大电路
复习与讨论题
5．4 有源滤波电路
5．4．1 有源低通滤波电路
5．4．2 有源高通滤波电路
5．4．3 有源带通滤波电路
5．4．4 有源带阻滤波电路
复习与讨论题
5．5 集成功率放大器及其应用
5．5．1 LM386集成功率放大器及其应用
5．5．2 TDA2040集成功率放大器及其应用
5．5．3 TDAl52l集成功率放大器及其应用
5．5．4 集成功率放大器使用注意事项
复习与讨论题
5．6 集成运算放大器应用电路的调整与测试
5．6．1 集成运算放大器应用电路元器件的选择
5．6．2 集成运算放大器应用电路调整与测试
5．6．3 技能训练项目
复习与讨论题
本章小结
自测题
习题
第6章 信号产生电路
6．1 正弦波振荡电路
6．1．1 正弦波振荡电路的工作原理
6．1．2 RC振荡电路
6．1．3 LC振荡电路
6．1．4 石英晶体振荡电路
复习与讨论题
6．2 非正弦波信号产生电路
6．2．1 电压比较器
6．2．2 方波、三角波和锯齿波产生电路
6．2．3 集成压控振荡器
复习与讨论题
6．3 锁相频率合成电路
6．3．1 锁相环路
6．3．2 锁相频率合成器
复习与讨论题
6．4 信号产生电路的调整与测试
6．4．1 信号产生电路调整与测试方法
6．4．2 技能训练项目
复习与讨论题
本章小结
自测题
习题
第7章 直流稳压电源
7．1 单相整流滤波电路
7．1．1 单相整流电路
7．1．2 滤波电路
复习与讨论题
7．2 线性集成稳压器
7．2．1 串联型稳压电路的工作原理
7．2．2 三端固定输出集成稳压器
7．2．3 三端可调输出集成稳压器
复习与讨论题
7．3 开关集成稳压电源
7．3．1 开关稳压电源的基本工作原理
7．3．2 集成开关稳压器及其应用
复习与讨论题
7．4 直流稳压电源的调整与测试
7．4．1 直流稳压电源的主要技术指标
7．4．2 直流稳压电源的调整与测试方法
7．4．3 技能训练项目
复习与讨论题
本章小结
自测题
习题
附录A 电阻器、电容器使用
知识
A1 电阻器
A2 电容器
附录B 电子设计自动化仿真软件
EWB 的应用
B1 EWB的基本使用方法
B2 模拟电子电路的仿真实验与分析
部分自测题和习题答案
参考文献
……
序言 本书为普通高等教育“十一五”国家级规划教材（高职高专教育），是“十五”国家级规划教材（高职高专教育）《模拟电子技术》（第2版）的修订版。为了适应电子技术的迅速发展和新形势下高职高专教学的需要，在总结国家级精品课程教学实践的基础上，汲取各方面的建议和意见修订而成的。修订中对部分章节内容作了较大的变动，但仍保持原书的风格和特点，力求重点突出，简明扼要，深入浅出，理论与实践训练紧密结合。
与第2版相比，本版主要对下列内容作了较大的变动：
（1）简化二极管、三极管电路分析方法的讨论，以突出物理概念的叙述，强化应用。
（2）将原第4章基本运算电路部分、第5章和第6章合并组成“集成运算放大器应用电路”一章，减少电路的定量分析，删去模拟乘法器的调幅与解调电路等内容，以加强集成运算放大器线性应用电路的讨论，增加对集成运算放大器频率特性的了解，提高集成运算放大器的实际应用能力。
（3）精选实训内容，适当补充计算机仿真实验，删去常用电子仪器使用方法的介绍，突出重点，使之更符合技能型人才培养的需要。
（4）精选复习讨论题、习题，适当降低深度。每章增加自测题，以便帮助学生巩固本章所学基本知识。
本书以应用为目的，突出理论与实践训练相结合，将课堂讲授内容、讨论思考题、技能训练、课外自学内容、自测题与习题等优化组合，有利于启发引导，激发学习积极性，加强应用能力的培养。
与本书配套的出版物有学习指导、教学课件、考试系统和自测系统以及网络学习平台，形成完整的立体化教材，以帮助读者掌握本课程的主要内容和解题方法，提高应用能力，便于教、学和检查教学效果。
本书由胡宴如任主编，耿苏燕任副主编，胡旭峰、马丽明、王敏珍、项瑞顺等参与本书部分书稿的编写和整理工作。
本书由江苏科技大学张尤赛教授仔细审阅，提出了许多修改意见，多年来，得到广大兄弟院校师生的关心和支持，提出了许多宝贵意见和建议，在此一并致以衷心的感谢。
由于我们水平有限，书中错漏及不妥之处在所难免，恳请读者继续给予批评指正。
文摘 插图：
PN结正偏时，外电场使P区的多子空穴向PN结移动，并进入空间电荷区和部分负离子中和；同样，N区的多子电子也向PN结移动，并进入空间电荷区和部分正离子中和。因此空间电荷量减少，PN结变窄，如图1．1．5（a）所示，这时内电场减弱，扩散运动将大于漂移运动，多子的扩散电流通过回路形成正向电流。当外加正向电压增加到一定值后，正向电流将显著增加，此时，PN结呈现很小的电阻，称为导通。为了限制正向电流值，通常在回路中串接限流电阻R。
PN结反偏时，外电场使P区的空穴和N区的电子向离开PN结的方向移动，空间电荷区变宽，如图1．1．5（b）所示。因此，内电场增强，多子的扩散运动受阻，而少子的漂移运动加强，这时通过PN结的电流（称为反向电流）由少子的漂移电流决定。由于少子浓度很低，所以反向电流很小，一般为微安级，相对于正向电流可以忽略不计。反向电流几乎不随外加电压而变化，故又称为反向饱和电流。此时，PN结呈现很大的电阻，称为截止。
综上所述，PN结正偏时导通，呈现很小的电阻，形成较大的正向电流；反偏时截止，呈现很大的电阻，反向电流近似为零。因此，PN结具有单向导电特性。
三、PN结的击穿特性
当加于PN结两端的反向电压增大到一定值时，PN结的反向电流将随反向电压的增加而急剧增大，这种现象称为反向击穿。反向击穿后，只要反向电流和反向电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率，PN结一般不会损坏。若反向电压下降到击穿电压以下后，其性能可恢复到原有情况，即这种击穿是可逆的，称为电击穿；若反向击穿电流过大，则会导致PN结结温过高而烧坏，这种击穿是不可逆的，称为热击穿。
PN结的反向击穿有雪崩击穿和齐纳击穿两种机理。当反向电压足够大时，PN结的内电场加强，使少子漂移速度加快，动能增大，通过空间电荷区与原子相撞。产生很多的新电子－空穴对，这些新产生的电子又会去撞击更多的原子，这种作用如同雪崩一样，使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，因为这种PN结的阻挡层宽，因碰撞而电离的机会就多。
由高浓度掺杂材料制成的PN结中耗尽区宽度很窄，即使反向电压不高也容易在很窄的耗尽区中形成很强的电场，将价电子直接从共价键中拉出来产生电子－空穴对，致使反向电流急剧增加，这种击穿称为齐纳击穿。
一个具体的PN结的击穿究竟属于雪崩击穿还是齐纳击穿，有时很难认定，但一般
……
