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氮化物宽禁带半导体材料与电子器件 |  |
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氮化物宽禁带半导体材料与电子器件 | |
出版日期: 2013年1月1日
在第一章引言介绍了III族氮化物电子材料的应用领域、GaN微波功率高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的研究进展以及本书的内容组织，随后的内容可分为材料和器件两大部分。在氮化物电子材料部分（第二章到第八章）介绍了氮化物基本材料性质、异质外延方法和机理、HEMT异质结材料电学性质的分析、AlGaN/GaN和InAlN/GaN异质结生长和结构优化、材料缺陷分析等内容，在氮化物电子器件部分（第九到第十三章）介绍了GaNHEMT器件原理及优化、器件工艺和性能、器件的电热退化研究以及增强型GaNHEMT和GaN金属－氧化物－半导体高电子迁移率晶体管(MOSHEMT)器件研究等内容。
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