模拟CMOS集成电路设计(毕查德.拉扎维著)

2012-11-13

　　本书是作者结合自己多年的科研实践，在参考国内外同类教材的基础上，精心编著而成的。本书结合现代CMOS工艺的发展，从元器件出发，详细分析了各种典型模拟CMOS集成电路的工作原理和设计方法，对模拟CMOS集成电路的研究和设计具有学术和工程实用价值。

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模拟CMOS集成电路设计 [平装]

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《模拟CMOS集成电路设计》是加州大学洛杉矶分校（UCLA）的新教材。该书组织严谨，内容丰富，循序渐进。在阐述原理和概念时，由浅入深，逐步分析。模拟电路设计需要直观、严密和创新。在阐述各种模拟电路的改进和新电路结构的产生时，着重观察和分析，不断地提出问题和解决问题，重视这三方面能力的培养。

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书评

本书是加州大学洛杉矶分校（UCLA）的新教材。该书组织严谨，内容丰富，循序渐进。在阐述原理和概念时，由浅入深，逐步分析。模拟电路设计需要直观、严密和创新。在阐述各种模拟电路的改进和新电路结构的产生时，着重观察和分析，不断地提出问题和解决问题，重视这三方面能力的培养。

作者简介

作者：(美国)毕查德·拉扎维译者：陈贵灿

毕查德·拉扎维于1985年在沙里夫理工大学的电气工程系获得理学学士学位，并分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT&T贝尔实验室工作，随后又受聘于Hewlett-Packard实验室，直到1996年为止。1996年9月，他成为加利福尼亚大学洛杉矶分校的电气工程系副教授，随后晋升为教授。目前他从事的研究包括无线收发、频率合成，高速数据通信及数据转换的锁相和时钟恢复。

作者简介
中文版前言
译者序
序
致谢
第1章模拟电路设计绪论
1.1 研究模拟电路的重要性
1.2 研究模拟集成电路的重要性
1.3 研究CMOS模拟集成电路的重要性
1.4 本书的特点
1.5 电路设计的一般概念
习题
第2章 MOS器件物理基础
2.1 基本概念
2.2 MOS的I/V特性
2.3 二级效应
2.4 MOS器件模型
习题
第3章单级放大器
3.1 基本概念
3.2 共源级
3.3 源跟随器
3.4 共栅级
3.5 共源共栅级
3.6 器件模型的选择
习题
第4章差动放大器
4.1 单端与差动的工作方式
4.2 基本差动对
4.3 共模响应
4.4 MOS为负载的差动对
4.5 吉尔伯特单元
习题
第5章无源与有源电流镜
5.1 基本电流镜
5.2 共源共栅电源镜
5.3 有源电流镜
习题
第6章放大器的频率特性
第7章噪声
第8章反馈
第9章运算放大器
第10章稳定性与频率补偿
第11章带隙基准
第12章开关电容电路
第13章非线性与不匹配
第14章振荡器
第15章锁相环
第16章短沟道效应与器件模型
第17章 CMOS工艺技术
第18章版图与封装
英汉词汇对照

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