微纳米MOS器件可靠性与失效机理
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微纳米MOS器件可靠性与失效机理 |
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基本信息·出版社：科学出版社
·页码：446 页
·出版日期：2008年03月
·ISBN：7030205863/9787030205865
·条形码：9787030205865
·版本：第1版
·装帧：平装
·开本：16
·正文语种：中文
·丛书名：半导体科学与技术丛书
内容简介 本书主要介绍了微纳米MOS器件的失效机理与可靠性理论，目的是在微电子器件可靠性理论和微电子器件的设计与应用之间建立联系，阐述微纳米MOS器件的主要可靠性问题和系统的解决方法。全书论述了超大规模集成电路的可靠性研究现状，提出超大规模集成电路面临的主要可靠性问题;描述了微纳米MOS器件的主要失效机理和可靠性问题，以及上述各种失效机制的可靠性加固方法等，也是作者十余年子阿该领域从事的科学研究和国内外相关研究的部分总结。
目录 序
前言
第1章 VLSI发展与可靠性研究进展
1.1 VLSI的发展规律
1.2 VLSI的主要可靠性问题
1.3 VLSI的可靠性研究现状
1.3.1 微纳MOS器件的热载流子效应
1.3.2 微纳MOS器件的NBTI效应
1.3.3 SOI器件的可靠性问题
1.3.4 超薄栅氧化层介质的可靠性
1.3.5 静电损伤和锁效应
1.3.6 ULSI中铜互连可靠性相关技术
1.3.8 非挥发性存储器的可靠性
1.3.9 封装与装配可靠性
1.3.10 微电子机械系统和化合物半导体可靠性
1.3.11 VLSI失效分析技术
1.3.12 VLSI可靠性仿真技术
参考文献
第2章 微纳米MOS器件的热载流子效应
第3章 MOS器件的热载流子损伤特性及物理模型
第4章 超薄栅氧化层的经时击穿效应
第5章 微纳米MOS器件的NBTI效应
第6章 微纳米MOS器件的耦合效应
第7章 等离子体工艺及诱生的器件失效
第8章 CMOS器件的ESD与损伤机理
第9章 ULSI中铜互连可靠性相关技术
第10章 微纳米MOS器件的可靠性加固方法
第11章 VLSI可靠性评价与估计
……
序言 信息技术是国民经济的核心技术，它服务于国民经济各个领域，微电子技术是信息技术的关键。整机系统中采用集成电路的多少是其系统是否先进的直接表征在集成电路产业中，硅技术是主流技术，硅集成电路产品是主流产品，占集成电路产业的90%以上。正因为硅集成电路的重要地位，世界各国都很重视，因而竞争异常激烈。21世纪初，微电子技术仍以尺寸不断缩小的硅基CMOS工艺技术为主流，化合物半导体和其他新材料研究及其在某些领域的应用尽管取得了很大进展，但远不具备替代硅基工艺的条件。硅集成电路技术发展至今，全世界数以万亿美元的设备和技术投入，已使硅基工艺形成非常强大的产业能力，长期的科研投入也使人们对硅及其工艺的认识更加深入。硅集成电路的产业能力和知识积累决定了硅基工艺起码将在100年内起主要作用，未来硅微电子技术的三个主要发展方向是:第一，特征尺寸继续等比例缩小，65~45nm工艺技术已经开始了大规模生产，10nm栅长的晶体管甚至更小的纳米器件已经实现。不过，到目前为止仍然没有找到能更好的代替CMOS的大规模集成电路的新型器件结构。第二，集成电路将发展成为系统芯片SOC，多核和多结果及欧融合已经是发展趋势。第三，微电子技术与其他领域相结合将产生新的产业和新的学科，如MENS、DNA芯片等。
