模拟电子技术
基本信息·出版社：科学出版社 ·页码：226 页 ·出版日期：2003年01月 ·ISBN：7030120213 ·条形码：9787030120212 ·版本：第1版 ·装帧：平装 ·开本 ...
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基本信息·出版社：科学出版社
·页码：226 页
·出版日期：2003年01月
·ISBN：7030120213
·条形码：9787030120212
·版本：第1版
·装帧：平装
·开本：16
·正文语种：Adygei
·丛书名：全国高职高专规划教材
·外文书名：Analog Electronics
·图书品牌：科瀚伟业
内容简介 《模拟电子技术》是作者在多年教学经验基础上，根据高职高专教育的基本要求而编写的。全书由半导体器件基础、基本放大电路、集成运算放大电路、负反馈放大电路、集成运算放大器的应用、波形产生电路、直流稳压电源、晶闸管电路及其应用组成。作者在编写时力求简明扼要，深入浅出，图文并茂，重点突出。每章配有本章要点、本章小结、习题及参考答案，便于学生自学，以提高学生学习本课程的主动性和积极性。《模拟电子技术》可作为高等职业学校、高等专科学校、成人高校的计算机、电子、自动化、通信专业的教材，也可供从事电子技术的工程技术人员参考。
编辑推荐 《模拟电子技术》为科学出版社出版发行。
目录 第1章 半导体器件基础
1.1 半导体的基础知识
1.1.1 本征半导体
1.1.2 杂质半导体
1.1.3 PN结
1.2 半导体二极管
1.2.1 半导体二极管的结构
1.2.2 半导体二极管的伏安特性
1.2.3 温度对二极管特性的影响
1.2.4 半导体二极管的卞要参数
1.3 稳压管及其他特殊二极管
1.3.1 稳压二极管
1.3.2 发光二极管
1.3.3 光电二极管
1.3.4 变容二极管
1.4 单相整流电路
1.4.1 单相半坡整流电路
1.4.2 单相全波整流电路
1.4.3 单相桥式整流电路
1.5 滤波电路
1.5.1 电容滤波电路
1.5.2 电感滤波电路
1.5.3 型滤波电路
1.6 半导体三极管
1.6.1 三极管的结构
1.6.2 三极管的电流放大作用
1.6.3 三极管的特性曲线
1.6.4 三极管的主要参数
1.6.5 三极管的简化H参数微变等效电路
1.7 场效应管
1.7.1 结型场效应管
1.7.2 绝缘栅型场效应管
1.7.3 场效应管的主要能数及注意事项
1.7.4 场效应管的简化H参数微变等效电路
1.7.5 场效应管与普通个导体，三极管的比较
本章小结
第2章 基本放大电路
2.1 放大电路的基本知识
2.1.1 放大电路的组成
2.1.2 放大电路的主要技术指标
2.2 放大电路的分析方法
2.2.1 直流分析方法
2.2.2 交流分析力法
2.3 三种基本形式放大电路
2.3.1 共发射权放大电路
2.3.2 共集电极放大电路
2.3.3 共基极放大电路
2.4 场效应管放大电路
2.4.1 自偏压共源放大电路
2.4.2 共漏极放大电路
2.5 多级放大电路
2.5.1 多级放大电路的组成
2.5.2 多级放大电路的耦合方式
2.5.3 多级放大电路的动态分析
2.6 放大电路的频率特性
2.6.1 低通和高通电路的频率特性
2.6.2 波特图
2.6.3 单管放大电路频率特性的定性分析
2.6.4 多级放大电路的频率特性
本章小结
第3章 集成运算放大电路
3.1 差分放大电路
3.1.1 直接耦合方式及其存在的问题
3.1.2 基本差分放大电路
3.1.3 实际差分放大电路
3.2 集成运算放大器
3.2.1 集成放大器概述
3.2.2 集成放大器的结构、电路、分类及主要参数
3.2.3 理想集成放大器及其分析重点
3.3 功率放大电路
3.3.1 功率放大器的特点与分类
3.3.2 乙类基本互补对称功率放大器
3.3.3 单电源互补对称功率放大器
3.3.4 甲乙类互补对称功率放大器
3.3.5 复合管互补对称功率放大器
本章小结
第4章 负反馈放大电路
4.1 反馈的基本概念与分类
4.1.1 反馈的基本概念
4.1.2 反馈放大器的分类
4.2 负反馈放大器的基本关系式
4.2.1 负反馈放大器放大倍数的一般表达式
4.2.2 使用基本关系式时的注意事项
4.3 负反馈对放大器性能的影响
4.3.1 提高放大倍数的稳定性
4.3.2 减小非线性失真
4.3.3 扩展了放大器的通频率
4.3.4 减小了放大器的内部噪声
4.3. 5 负反馈对输入、输出电阻的影响
4.4 深度负反馈放大电路的近似计算
4.4.1 深度负反馈放大电路的特点及性能估算
4.4.2 电压串联负反馈电路
4.4.3 电压并联负反馈电路
4.4.4 电流并联负反馈电路
4.4.5 电流串联反馈电路
4.5 负反馈放大器实例分析
4.5.1 反馈式音调控制器
4.5.2 集成电路双前置放大器 SL30（SL1451）
本章小结
第5章 集成运算放大器的应用
5.1 集成运算放大器的线性应用
5.1.1 比例运算放大器
5.1.2 加减运算
5.1.3 微分与积分电路
5.1.4 有源整流电路
5.1.5 有源滤波电路
5.2 集成模拟乘法器及其应用
5.2.1 模拟乘法器的基本工作原理
5.2.2 模拟乘法器的应用
5.3 运算放大器的非线性应用
5.3.1 限幅器
5.3.2 电压比较器
本章小结
第6章 波形产主电路
6.1 正弦波振荡电路的组成及起振条件
6.1.1 正弦波振荡条件和起振条件
6.1.2 正弦波振荡电路的组成和分析方法
6.2 RC正弦波振荡电路
6.2.1 RC串并联网络的选频特性
6.2.2 文氏桥振荡电路分析
6.3 LC正弦波振荡电路
6.3.1 LC并联振荡回路的选频特性
6.3.2 变压器反馈式LC正弦波振荡器
6.3.3 电感三点式正弦波振荡器
6.3.4 电容三点式正弦波振荡器
6.3.5 电容反馈式改进型振荡电路
6.4 石英晶体振荡器
6.4.1 石英晶体谐振器的特性
6.4.2 石英晶体振荡电路
6.5 非正弦波发生器
6.5.1 矩形波发生器
6.5.2 锯齿波发生器
6.5.3 函数发生器
6.5.4 555集成定时器及其应用
本章小结
第7章 直流稳压电源
7.1 硅稳压管稳压电路
7.1.1 电路组成
7.1.2 工作原理
7.1.3 硅稳压管稳压电路参数的选择
7.1.4 主要技术指标
7.2 串联型稳压电路
7.2.1 串联型稳压电路的工作原理
7.2.2 具有放大电路的串联型稳压电路
7.2.3 提高稳压性能的措施和保护电路
7.2. 4 输出电压计算
7.3 三端集成稳压器
7.3.1 三端固定式集成稳压器
7.3.2 三端可调集成稳压器
7.4 开关稳压电源
7.4.1 开关稳压电源的特点
7.4.2 开关稳压电路的工作原理
本章小结
第8章 晶闸管及其应用电路
8.1 晶闸管的基本知识
8.1.1 晶闸管结构和等效电路
8.1.2 晶闸管的工作原理
8.1.3 晶闸管的伏安特性
8.1.4 晶闸管的主要参数
8.2 晶闸管的触发电路
8.2.1 单结晶体管的结构和等效电路
8.2.2 单结晶体管的工作原理和特性曲线
8.2.3 单结晶体管振荡电路
8.3 晶闸管应用电路
8.3.1 单相桥式可控整流电路
8.3.2 实际应用电路
本章小结
附录A 半导体器件型号命名法
A.1 半导体器件型号的组成及其符号意义
A.2 几种半导体器件的参数选录
附录B 半导体集成电路型号命名法
B.1 半导体集成电路型号的组成及其符号意义
B.2 几种常用模拟集成电路的主要参数
习题参考答案
主要参考文献
……
序言 本书是编者在多年教学经验基础上，根据高职高专培养目标的要求，结合电子技术新的发展而编写的。它可作为高职高专院校计算机、电子、自动化、通信类等专业模拟电子技术课程的教材，也可供从事电子技术的工程技术人员参考。
教材在内容安排上，以应用为目的，以“必需、够用”为度，将理论知识的讲授与学生能力的培养有机地结合起来。在加强必备的基础知识的前提下，保证内容的实用性。尽量做到深入浅出、删繁就简、重点突出。每章配有本章要点、本章小结、习题及参考答案，便于自学。
全书共8章：第1章半导体器件基础，第2章基本放大电路，第3章集成运算放大电路，第4章负反馈放大电路，第5章集成运算放大电路，第6章波形产生电路，第7章直流稳压电源，第8章晶闸管电路及其应用。
第1、2、3章为整个课程的基础部分，以介绍基本概念、基本原理以及基本分析方法为主。第4至8章为本课程的重点，是从基础知识向实际应用过渡的桥梁。本书要求学生以工程应用为目标，掌握基本应用电路的构成、特点和应用范围。
参加本书编写的有金惠平（第7章），楼建明（第6章），余根墀（第5章），杨宝鸿（第4章），叶刚（第3章），傅宝玉（第1章），黄强（第2章、第8章）。全书由黄强担任主编并负责定稿，傅宝玉担任本书副主编。
由于笔者水平有限，加之时间仓促，书中一定有不少错漏和不妥之处，敬请读者批评指正。
文摘 插图：
1.1 半导体的基础知识
自然界中存在着各种物质，按导电性能可划分为导体（如金、银、铜、铝等金属）、绝缘体（如橡皮、陶瓷、塑料等）和半导体三大类。半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。硅（Si）和锗（Ge）是目前制作半导体器件的主要材料。半导体之所以被人们重视，是因为它的导电性能在不同条件下有着显著的差异，它具有热敏性、光敏性和掺杂性等特点。利用光敏性可制成光电二极管和光电三极管及光敏电阻；利用热敏性可制成各种热敏电阻；利用掺杂性可制成各种不同性能、不同用途的半导体器件，例如二极管、三极管、场效应管等。
1.1.1 本征半导体
不含杂质的半导体，称为本征半导体。例如，纯净的Si或纯净的Ge，都可以称为本征半导体。
物质的导电性能与它们的原子结构密切相关。
在本征半导体中，原子的排列十分整齐，形成所谓半导体晶体。以硅、锗为例，硅和锗都是四价元素，最外层原子轨道上具有4个电子，称为价电子。每个原子的4个价电子不仅受自身原子核的束缚，而且还与周围相邻的4个原子发生联系，这些价电子一方面围绕自身的原子核运动，另一方面也时常出现在相邻原子所属的轨道上。这样，相邻的原子就被共有的价电子联系在一起，称为共价键结构。如图1.1所示。在共价键结构中，原子中最外层的八个价电子虽被束缚在共价键中，但不像绝缘体中束缚得那样牢固，当温度升高或受光照时，价电子从外界获得一定的能量，少数价电子会挣脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在原来共价键的相应位置上留下一个空位，这个空位称为空穴，如图1.2所示。
