基本信息·出版社：东北大学出版社 ·页码：150 页 ·出版日期：2009年03月 ·ISBN：9787811026719 ·条形码：9787811026719 ·版本：第1版 ·装帧：平装 ...
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低介低烧陶瓷材料的制备工艺性能及机理 |
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低介低烧陶瓷材料的制备工艺性能及机理 |
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基本信息·出版社：东北大学出版社
·页码：150 页
·出版日期：2009年03月
·ISBN：9787811026719
·条形码：9787811026719
·版本：第1版
·装帧：平装
·开本：16
·正文语种：中文
内容简介 《低介低烧陶瓷材料的制备工艺、性能及机理》总结了低介低烧陶瓷材料的现状及发展，详细介绍了多个体系低介低烧陶瓷的制备工艺、微观结构和性能及其相互关系。
编辑推荐 《低介低烧陶瓷材料的制备工艺、性能及机理》由东北大学出版社出版。
目录 前言
第1章 低介低烧陶瓷材料概述
1.1 低介低烧陶瓷材料的研究意义
1.2 低介低烧陶瓷材料的研究进展
1.3 低介低烧陶瓷材料的相关理论
1.4 低介低烧陶瓷材料的制备方法
1.5 流延工艺
1.6 本书主要内容
本章参考文献
第2章 Ca0-B203-si02系低介低烧陶瓷材料
2.1 材料制备工艺
2.2 材料的物理性能
2.3 材料的介电性能
2.4 保温时间和升温速度对材料性能的影响
2.5 致密化机理
2.6 物相及微观结构
2.7 镀银界面分析
2.8 A103对钙硼硅系低介低烧陶瓷材料的影响
2.9 本章小结
本章参考文献
第3章 低介低烧堇青石玻璃陶瓷材料的制备和性能
3.1 材料的制备工艺
3.2 材料的物理性能
3.3 物相、介电性能和微观结构
3.4 本章小结
本章参考文献
第4章 低介低烧“堇青石+钙长石”二元玻璃陶瓷材料
4.1 材料制备工艺
4.2 烧结温度对材料性能的影响
4.3 CG含量对钙长石析晶的影响
4.4 CG对AG致密化的影响
4.5 热膨胀系数
4.6 介电性能
4.7 显微结构分析
4.8 本章小结
本章参考文献
第5章 ZnO-Li2O-B2O3-SIO2系低介陶瓷材料的制备和性能.
5.1 制备工艺
5.2 差热分析
5.3 收缩率和密度
5.4 相组成
5.5 介电性能
5.6 微观结构
5.7 ZnO-Li2O-B2O3-SiO2系材料的固相法合成
5.8 本章小结
本章参考文献
第6章 低介低烧堇青石粉体的溶胶.凝胶法制备和烧结性能
6.1 粉体的制备工艺
6.2 粉体的性能
6.3 粉体的烧结及析晶性能
6.4 烧结体的性能
6.5 烧结体的微观形貌
6.6 烧结机理
6.7 催化剂对堇青石性能的影响
6.8 本章小结
本章参考文献
第7章 添加剂对堇青石介电性能和微观结构的影响
7.1 材料的制备
7.2 Bi203对堇青石烧结性能的影响及其作用机理
7.3 B203和P205的作用及其机理
7.4 堇青石与金属银低温共烧
7.5 本章 小结
本章参考文献
第8章 添加剂对堇青石晶体生长机制的影响
8.1 堇青石的多晶态
8.2 无添加剂情况下堇青石的生长
8.3 Bi2O3对堇青石析晶机制的影响
8.4 B2O3P2O5对堇青石析晶机制的影响
8.5 本章 小结
本章参考文献
第9章 溶胶一凝胶法制备堇青石粉体的流延
9.1 配方及流延助剂选择
9.2 流延工艺的确定
9.3 流延坯片及其影响因素
9.4 本章 小结
本章参考文献
结论
……
序言 材料是高新技术发展以及现代文明的物质基础。随着21世纪电子技术向着更微型化、集成化、表面组装化、多维化和高频化方向发展，信息技术带动下电子通讯设备的空前普及和迅猛发展使得对通讯频段的争夺愈发激烈。手机上网、手提式电脑无线上网、图像和声音无线传输使得手机和电脑中的元器件都必须高频化。生产适合高频、超高频应用的电子元件、集成元件和高密度封装的低介低烧陶瓷已经成为必然。
低介低烧玻璃陶瓷材料具有介电常数低、自谐振频率高的特点，适合高频使用。低介低烧玻璃陶瓷主要具有如下特点：①低介电常数，e≤5；②低的损耗角正切，在1MHz时tan含≤0.001；③高电阻率，J0=1013Q·cm；④良好的共烧性能，能在900*（2下烧结，高温不与电极材料反应。
低介低烧玻璃陶瓷材料必须满足以下基本条件。
（1）解决与电极材料共烧的问题。这其中又包括两个问题：①在电极材料不熔化的前提下烧成；②在高温下不与电极材料发生相互作用。比如，银的熔化温度为961℃，则介质材料必须能在900以下烧成，且不能与银相互渗透。
（2）解决频率问题。由于自谐振频率（SelfResonantFrequeney，SRF、）、趋肤效应（S',kinEffect）以及涡流效应的限制，很多介质材料本身就不能应用于高频。
（3）解决磁性能的问题。在用作片感材料时，该条件尤为重要。因为，多层片式电感器的磁性能与电极材料、介质材料及片感的整体设计都有密切关系。
低介低烧陶瓷材料主要用于高频多层片式电感器（MLCIs）和传送高速信号的微电子封装（LTCC）。自谐振频率为2G～5GHz的MLCIs器件的介质材料基本都是低介低烧玻璃陶瓷材料。片式电感（MLCIs）作为三大无源元件之一，与传统的绕线式电感元件相比，它具有体积小、重量轻、有良好的磁屏蔽效果、漏磁通小、可焊性好、耐热性好、可靠性高、适于高密度组装等优点。多层片式电感器在现代电子信息产业中起着十分重要的作用，许多电子产品都离不开它，如笔记本电脑、移动电话、BP机和大屏幕彩电机芯等。
文摘 插图：
第1章 低介低烧陶瓷材料概述
1.1 低介低烧陶瓷材料的研究意义
材料是划分时代的标志，是高新技术发展以及现代文明的物质基础。随着21世纪电子技术向着更微型化、集成化、表面组装化、多维化和高频化方向发展，信息技术带动下的电子通讯设备空前普及和迅猛发展使得对通讯频段的争夺愈发激烈。手机上网、手提式电脑无线上网、图像和声音无线传输使得手机和电脑中的元器件都必须高频化。生产适合高频、超高频应用的电子元件、集成元件和高密度封装陶瓷基片已经成为必然。
低介低烧陶瓷材料主要用于高频多层片式电感器（MLCIs）和传送高速信号的微电子封装（LTCC）。自谐振频率为2G～5GHz的MLCIs器件的介质材料基本都是低介低烧玻璃陶瓷材料。
片式电感（MLCIs）作为三大无源元件之一，与传统的绕线式电感元件相比，它具有体积小、重量轻、有良好的磁屏蔽效果、漏磁通小、可焊性好与耐热性好、可靠性高、适于高密度组装等优点。
材料是高新技术发展以及现代文明的物质基础。随着21世纪电子技术向着更微型化、集成化、表面组装化、多维化和高频化方向发展，信息技术带动下电子通讯设备的空前普及和迅猛发展使得对通讯频段的争夺愈发激烈。手机上网、手提式电脑无线上网、图像和声音无线传输使得手机和电脑中的元器件都必须高频化。生产适合高频、超高频应用的电子元件、集成元件和高密度封装的低介低烧陶瓷已经成为必然。
低介低烧玻璃陶瓷材料具有介电常数低、自谐振频率高的特点，适合高频使用。低介低烧玻璃陶瓷主要具有如下特点：①低介电常数，￡≤5；②低的损耗角正切，在1MI-{z时tan8≤0.001；③高电阻率，|0=10玎Q·cm；④良好的共烧性能，能在900*（2下烧结，高温不与电极材料反应。
低介低烧玻璃陶瓷材料必须满足以下基本条件。
（1）解决与电极材料共烧的问题。这其中又包括两个问题：①在电极材料不熔化的前提下烧成；②在高温下不与电极材料发生相互作用。比如，银的熔化温度为961℃，则介质材料必须能在900℃以下烧成，且不能与银相互渗透。
（2）解决频率问题。由于自谐振频率（SelfResonantFrequency，SRF、）、趋肤效应（SkinEffect）以及涡流效应的限制，很多介质材料本身就不能应用于高频。
（3）解决磁性能的问题。在用作片感材料时，该条件尤为重要。因为，多层片式电感器的磁性能与电极材料、介质材料及片感的整体设计都有密切关系。
……
