基本信息·出版社：北京邮电大学出版社 ·页码：325 页 ·出版日期：2009年09月 ·ISBN：7563520201/9787563520206 ·条形码：9787563520206 ·版本：第1 ...
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电子电路基础(中英文) |
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基本信息·出版社：北京邮电大学出版社
·页码：325 页
·出版日期：2009年09月
·ISBN：7563520201/9787563520206
·条形码：9787563520206
·版本：第1版
·装帧：平装
·开本：16
·正文语种：中文/英语
·丛书名：普通高等教育“十一五”国家级规划教材
内容简介 《电子电路基础(中英文)》内容简介：This book is a Chinese-English bilingual teaching material for use in the courses of "Electronic and CircuitFoundation" ,"Fundamentals of Analog Circuits" for electronic and information professions, which is taught byEnglish mainly or Chinese and English both. This book is designed with valuable teaching experience from theteachers of "Electronic and Circuit Foundation" in the International School of Beijing University of Posts and Telecommunications. This book is designed concisely and gives more attention to the contents and teaching plan for Chinese tradition and is suitable for teaching and experimenting within 40～68 hours.
This book includes semiconductor basis and diodes, bipolar junction transistors and basic BJT amplifiers,field-effect transistors and basic amplifiers, differential and multistage IC amplifiers, frequency response, feed-back amplifiers, power amplifiers, operational amplifiers and comparators and six electronic technology experi-ments. This book pays attention to basic theory and analysis methods for analog circuits, and emphasize on thecombination of theory analysis and experiments. The Chinese contents are consistent with the English content,with sufficient examples as a good reference for students and professional engineers.
编辑推荐 《电子电路基础(中英文)》：普通高等教育“十一五”国家级规划教材。
目录 第1章 半导体基础知识和二极管
1.1 半导体基础知识
1.1.1 本征半导体
1.1.2 杂质半导体
1.2 PN结原理及特性
1.2.1 PN结的形成原理
1.2.2 PN结的导电特性
1.3 半导体二极管
1.3.1 二极管特性
1.3.2 二极管的模型
1.3.3 二极管的等效电阻
1.3.4 稳压二极管
1.3.5 其他类型二极管
1.4 小结
习题
第2章 双极型晶体管和基本双极型晶体管放大器
2.1 双极型晶体管
2.1.1 BJT结构
2.1.2 BJT特性
2.1.3 BJT工作模式
2.2 BJT直流偏置
2.2.1 直流分析
2.2.2 图解法
2.3 BJT交流分析
2.3.1 放大器基本原理
2.3.2 交流小信号等效电路
2.4 基本BJT放大器
2.4.1 BJT放大器工作组态
2.4.2 共射极放大器
2.4.3 共集电极放大器
2.4.4 共基极放大器
2.5 三种基本放大器组态：小结及比较
2.6 小结
习题
第3章 场效应管
3.1 简介
3.2 场效应管的特性
3.2.1 结型场效应管
3.2.2 绝缘栅耗尽型场效应管
3.2.3 绝缘栅增强型场效应管
3.3 场效应管的直流电路分析
3.3.1 共源放大电路
3.3.2 自偏置电路
3.4 场效应管的交流等效分析
3.4.1 场效应管的小信号等效模型
3.4.2 共源极放大电路
3.4.3 自偏置电路
3.5 小结
习题
第4章 差分放大器和多级集成电路放大器
4.1 镜像电流源
4.1.1 典型的镜像电流源
4.1.2 镜像电流源的应用
4.2 差分放大器
4.2.1 差分对的结构
4.2.2 直流分析
4.2.3 交流小信号等效电路分析
4.2.4 共模抑制比
4.2.5 带有源负载的差分放大器
4.3 多级放大器
4.3.1 耦合模式
4.3.2 直流偏置与多级放大器分析
4.3.3 多级放大器的交流分析
4.3.4 多级集成电路放大器的应用
4.4 小结
习题
第5章 放大电路的频率响应
5.1 频率响应基础
5.1.1 中频带宽的定义
5.1.2 低通电路
5.1.3 高通电路
5.1.4 波特图
5.2 共射放大电路的低频响应
5.3 共射极放大电路的高频效应
5.3.1 三极管的高频等效模型
5.3.2 β对高频响应的影响
5.4 小结
习题
第6章 反馈放大电路
6.1 反馈的基本概念
6.2 基本负反馈放大电路
6.2.1 负反馈放大电路的类型
6.2.2 负反馈放大电路的基本表达式
6.3 负反馈对放大电路性能的影响
6.3.1 对输入电阻的影响
6.3.2 对输出电阻的影响
6.3.3 对增益的影响
6.3.4 对通频带的影响
6.3.5 对非线性失真的影响
6.4 负反馈放大电路的分析方法
6.4.1 一般定量分析
6.4.2 深度负反馈放大电路的分析
6.5 小结
习题
第7章 功率放大电路
7.1 功率放大器简介
7.2 甲类功率放大器
7.3 乙类功率放大器
7.4 互补推挽乙类功率放大电路
7.5 小结
习题
第8章 运算放大器和电压比较器
8.1 运算放大器的组成和基本特性
8.1.1 运算放大器的组成和电路符号
8.1.2 运算放大器的主要参数
8.1.3 运算放大器的传输特性
8.2 理想运算放大器特性及分析方法
8.3 运算放大器的应用
8.3.1 比例运算电路
8.3.2 加法运算电路
8.3.3 减法运算电路
8.3.4 积分运算电路
8.3.5 微分运算电路
8.4 电压比较器
8.4.1 基本单限电压比较器
8.4.2 滞回电压比较器
8.5 小结
习题
第9章 实验
实验一 晶体管共射极单管放大电路
实验二 差动放大器
实验三 比例求和电路
实验四 RC正弦波振荡电路
实验五 积分与微分电路
实验六 互补对称功率放大电路
参考文献
……
序言 With the development of electronic and information technology, the Ministry of Education of China promotes bilingual teaching in high education to enhance the level of talents in electronic and information professions. This book is a Chinese-English bilingual teaching material for use in the core electronics courses of "Electronic and Circuit Foundation","Fundamentals of Analog Circuits" in high education for undergraduate electronic engineering,information technology and computer engineering majors. This book gives attention to the contents and teaching plan for both the Chinese and international tradition.
This book is designed concisely and is suitable for teaching and experimenting within 40 -68 hours. The first three chapters include semiconductor basis and diodes, bipolar junction transistors and basic BJT amplifiers, field-effect transistors and basic amplifiers, which are appropriate for an entry to electronic devices as they present the basic knowledge of semiconductor elements as diodes and transistors. Chapter 4 covers differential amplifiers, multistage amplifiers and current sources, which is a profound introduction of analog circuits for constructing analog IC circuits. Chapter 5 goes deep into the frequency response of basic BJT and FET amplifiers. It gives a comprehensive introduction to the response of BJTs and FETs amplifiers to signals with low frequency, middle-range frequency and high frequency respectively. Chapter 6 introduces feedback concepts and negative feedback amplifiers. It shows not only the effects of negative feedback to amplifiers but trains an approximate analysis method which is commonly used in practical engineering cases. From Chapter 1 to Chapter 6, it pays attention to small signal amplification, while Chapter 7 introduces a kind of large signal amplifier as power amplifier. Therefore, the circuits analysis method in Chapter 7 is different from that introduced before. Chapter 8 takes operational amplifiers and comparators, which are commonly used in practical electronic circuits, to introduce basic informationof analog IC circuits. The application of operational amplifiers and comparators cover operational circuits and wave shaping circuits. Finally, Chapter 9 presents six electronic technology experiments to improve the understanding of the fundamental information of electronics and circuits as well as to exercise the application of common electronic devices and analysis methods. A lot of examples and problems are presented in each chapter to exercise the understanding of the basic electronic and circuit principles.
文摘 插图：
第1章 半导体基础知识和二极管
半导体器件是现代电子技术的重要组成部分，其中最基本的电子器件是PN结二极管。本章在简要介绍半导体基本知识的基础上，重点讨论PN结二极管的物理结构、工作原理、特性曲线和主要参数，并且利用二极管电路的一般特性及基本分析方法对简单的二极管电路进行分析。
1.1 半导体基础知识
1.1.1 本征半导体
自然界中的物质按其导电性可以分为导体、绝缘体和半导体。常温时，半导体的导电特性介于导体和优良绝缘体之间。在电子器件中使用最为广泛的半导体材料是：硅（si）、锗（Ge）和砷化镓（GaAs）。物质的导电性与其原子结构有关。任何物质的原子都是由原子核及其外层电子构成，其中最外层电子称为价电子。
硅原子有14个电子，锗原子有32个电子，它们的原子结构如图1.1所示。硅原子和锗原子都有四个价电子，属于四价元素。
